NGTB20N60L2TF1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PF-3L

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.45 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

40 A

Pd - Dissipazione di potenza:

64 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

NGTB20N60L2TF1G

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Tags

NGTB20N, NGTB20, NGTB2, NGTB, NGT