RM3315-XSNI-T

RM3315-XSNI-T
Mfr. #:
RM3315-XSNI-T
Produttore:
Adesto Technologies
Descrizione:
DRAM 128Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RM3315-XSNI-T Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
RM3315-XSNI-T maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Tecnologie Adesto
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
CBRAM
Larghezza bus dati:
32 bit
Organizzazione:
4 k x 32
Pacchetto/custodia:
SOIC-8
Dimensione della memoria:
128 kbit
Frequenza massima di clock:
1 MHz
Tensione di alimentazione - Max:
1.98 V
Tensione di alimentazione - Min:
1.17 V
Corrente di alimentazione - Max:
10 uA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Serie:
RM331x
Confezione:
Bobina
Marca:
Tecnologie Adesto
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
4000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Nome depositato:
moneta
Tags
RM331, RM33, RM3
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Packaging Boxes
Moneta RM331 Ultra-low Power Serial Memory
Adesto Technologies Moneta™ RM331 32-256Kbit EEPROM-compatible Serial Memory devices provide an ultra-low power/low-energy solution for the non-volatile memory needs of battery-operated and energy harvesting applications. Featuring Adesto's Conductive Bridging RAM (CBRAM®) resistive technology, the Moneta RM331 Memory devices operate with ultra-low power consumption without sacrificing speed or performance.
Immagine Parte # Descrizione
RM3315-XSNI-T

Mfr.#: RM3315-XSNI-T

OMO.#: OMO-RM3315-XSNI-T

DRAM 128Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
RM3315-XSNI-B

Mfr.#: RM3315-XSNI-B

OMO.#: OMO-RM3315-XSNI-B

DRAM 128Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
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