IXTK60N50L2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

610 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

960 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

LinearL2

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.59 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

IXTK60N50

Tipo:

LinearL2 Power MOSFET

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

165 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Unità di peso:

0.264555 oz

Tags

IXTK60, IXTK6, IXTK, IXT