TK62J60W,S1VQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3PN-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

61.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

20 mm

Lunghezza:

15.5 mm

Serie:

TK62J60W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

58 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

310 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

115 ns

Unità di peso:

0.245577 oz

Tags

TK62J, TK62, TK6