STQ1HN60K3-AP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

400 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.7 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.75 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

9.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Pacchetto munizioni

Serie:

STQ1HN60K3-AP

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

31 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.007760 oz

Tags

STQ1H, STQ1, STQ