TSM3457CX6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.52 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

Canale P

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

3.87 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22.53 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.8 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

TSM3457C, TSM3457, TSM345, TSM34, TSM3, TSM