BUJD105AD,118

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

WeEn Semiconduttori

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.35 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

36

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

WeEn Semiconduttori

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934063378118

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

BUJD1, BUJD, BUJ