DMG4800LK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

8.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.71 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMG4800

Tipo di transistor:

Canale N

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.55 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.03 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

DMG4800LK, DMG480, DMG48, DMG4, DMG