2N2222Ae3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

800 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Confezione:

Borsa di alluminio

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

800 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

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