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BUZ73L

BUZ73L
Mfr. #:
BUZ73L
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-Ch 200V 7A TO220-3
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
BUZ73L Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
GaN
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
200 V
Id - Corrente di scarico continua:
7 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
400 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
40 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Altezza:
15.65 mm
Lunghezza:
10 mm
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.4 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tempo di caduta:
40 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
60 ns
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
100 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
15 ns
Parte # Alias:
BUZ73LXK
Unità di peso:
0.211644 oz
Tags
BUZ73L, BUZ73, BUZ7, BUZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
***ark
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:7A; Resistance, Rds On:0.4ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.6V; Case Style:TO-220AB; ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:7A; Resistance, Rds On:0.4ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.6V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:28A; Lead Spacing:2.54mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:40W; Power, Pd:40W; Power, Ptot:40W; SMD Marking:BUZ73L; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:2.5V
***ment14 APAC
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Ptot Max:40W; Pulse Current Idm:28A; SMD Marking:BUZ73L; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2.5V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
BUZ73L
DISTI # BUZ73LIN-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    BUZ73LHXKSA1
    DISTI # BUZ73LHXKSA1-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 500
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      BUZ73L
      DISTI # 726-BUZ73L      		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 7A TO220-3
      RoHS: Compliant      		0
        BUZ73L H
        DISTI # 726-BUZ73LH        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V
        RoHS: Compliant        		0
          BUZ73L
          DISTI # 1056533          		Infineon Technologies AG 
          RoHS: Compliant          		0
          • 25:$1.0400
          • 1:$1.6800
          Immagine Parte # Descrizione
          BUZ307

          Mfr.#: BUZ307

          OMO.#: OMO-BUZ307-1190

          		 3 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
          BUZ30A-E3045A

          Mfr.#: BUZ30A-E3045A

          OMO.#: OMO-BUZ30A-E3045A-1190

          		 Nuovo e originale
          BUZ31H3046XKSA1

          Mfr.#: BUZ31H3046XKSA1

          OMO.#: OMO-BUZ31H3046XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
          BUZ355

          Mfr.#: BUZ355

          OMO.#: OMO-BUZ355-1190

          		 - Bulk (Alt: BUZ355)
          BUZ71(A)F,FI,P

          Mfr.#: BUZ71(A)F,FI,P

          OMO.#: OMO-BUZ71-A-F-FI-P-1190

          		 Nuovo e originale
          BUZ71F

          Mfr.#: BUZ71F

          OMO.#: OMO-BUZ71F-1190

          		 Nuovo e originale
          BUZ73A H3046

          Mfr.#: BUZ73A H3046

          OMO.#: OMO-BUZ73A-H3046-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
          BUZ73HXKSA1

          Mfr.#: BUZ73HXKSA1

          OMO.#: OMO-BUZ73HXKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
          BUZ76A

          Mfr.#: BUZ76A

          OMO.#: OMO-BUZ76A-1190

          		 Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
          BUZ84

          Mfr.#: BUZ84

          OMO.#: OMO-BUZ84-1190

          		 Nuovo e originale
          Disponibilità
          Azione:
          Available
          Su ordine:
          5000
          Inserisci la quantità:
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