BUV27G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

240 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BUV27

Altezza:

15.75 mm

Lunghezza:

10.53 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

12 A

Pd - Dissipazione di potenza:

70 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

BUV27, BUV2, BUV