RT1A060APTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSST-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

80 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

RT1A060AP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

260 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

100 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

580 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

RT1A060AP

Tags

RT1A0, RT1A, RT1