KSD2012YYDTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

E

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220F-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

320

Altezza:

9.19 mm

Lunghezza:

10.16 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

3 A

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.080072 oz

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KSD2012Y, KSD201, KSD20, KSD2, KSD