MBT6429DW1T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-70-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

55 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

700 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MBT6429DW1

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

500

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

MBT6429DW1, MBT6429, MBT64, MBT6, MBT