QH8MA2TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A, 3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.4 nC, 7.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S, 1.9 S

Tempo di caduta:

5.7 ns, 8.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns, 16.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 27.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.2 ns, 7.9 ns

Parte # Alias:

QH8MA2

Tags

QH8MA2, QH8MA, QH8M, QH8