BC858BT116

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SST-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.65 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC858B

Guadagno di corrente CC hFE Max:

480

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

210

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC858B

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

BC858BT, BC858B, BC858, BC85, BC8