2N3701

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

140 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

400 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

2N370, 2N37, 2N3