VRF2933

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

42 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

180 V

Guadagno:

25 dB

Potenza di uscita:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Scatola

Frequenza operativa:

30 MHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 65 C to + 150 C

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

8 mS

Pd - Dissipazione di potenza:

648 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.6 V

Tags

VRF293, VRF29, VRF2, VRF