2N3706

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N3706

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N3706 PBFREE

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N370, 2N37, 2N3