TPS1120DG4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

15 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

2 V, - 15 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Pd - Dissipazione di potenza:

840 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

TPS1120

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

Modalità di miglioramento del doppio canale P

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns

Unità di peso:

0.002677 oz

Tags

TPS1120D, TPS112, TPS11, TPS1, TPS