SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5980DU-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI5980DU-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Digi-ReelR
Alias ​​parziali
SI5980DU-GE3
Unità di peso
0.002998 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
PowerPAKR ChipFET Dual
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PowerPAKR ChipFet Dual
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
7.8W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
100V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
78pF @ 50V
Funzione FET
Standard
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
2.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
3.3nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
7.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
567 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tags
SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***ark
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
***
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI5980DU-T1-GE3
DISTI # SI5980DU-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    SI5980DU-T1-GE3
    DISTI # SI5980DU-T1-GE3DKR-ND
    Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      SI5980DU-T1-GE3
      DISTI # 78-SI5980DU-T1-GE3
      Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
      RoHS: Compliant
      0
        SI5980DU-T1-GE3Vishay Intertechnologies 909
          Immagine Parte # Descrizione
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIS990DN-T1-GE3
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
          Disponibilità
          Azione:
          Available
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          Prezzo unitario
          est. Prezzo
          1
          0,00 USD
          0,00 USD
          10
          0,00 USD
          0,00 USD
          100
          0,00 USD
          0,00 USD
          500
          0,00 USD
          0,00 USD
          1000
          0,00 USD
          0,00 USD
          A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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