SIZ916DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-6x5-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A, 40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.3 mOhms, 1.05 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, - 16 V

Qg - Carica cancello:

26 nC, 160 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

22.7 W, 100 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

55 S, 116 S

Tempo di caduta:

5 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns, 55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns, 36 ns

Tags

SIZ91, SIZ9, SiZ