FQAF19N60

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3PN-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

120 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.1 mm

Lunghezza:

16.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

135 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

210 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

150 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

65 ns

Unità di peso:

0.000198 oz

Tags

FQAF19, FQAF1, FQAF, FQA