APTGF50VDA120T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

70 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

312 W

Pacchetto/custodia:

SP-3

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

11.5 mm

Lunghezza:

73.4 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 150 C

Larghezza:

40.8 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Tags

APTGF5, APTGF, APTG, APT