MRF8372LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

16 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Corrente continua del collettore:

200 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

800 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.019048 oz

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MRF8372L, MRF8372, MRF837, MRF83, MRF8, MRF