MJD42C1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

MJD42, MJD4, MJD