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AS4C8M32MD2A-25BCNTR

AS4C8M32MD2A-25BCNTR
Mfr. #:
AS4C8M32MD2A-25BCNTR
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 256M 1.2/1.8V 8Mx32 LPDDR2 -25C-95C
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C8M32MD2A-25BCNTR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
AS4C8M32MD2A-25BCNTR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM Mobile - LPDDR2
Larghezza bus dati:
32 bit
Organizzazione:
8 M x 32
Pacchetto/custodia:
FBGA-134
Dimensione della memoria:
256 Mbit
Frequenza massima di clock:
400 MHz
Tensione di alimentazione - Max:
1.95 V
Tensione di alimentazione - Min:
1.14 V
Corrente di alimentazione - Max:
140 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 25 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Serie:
AS4C8M32MD2A-25
Confezione:
Bobina
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C8M32MD, AS4C8M32M, AS4C8M3, AS4C8, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
DDR2 SDRAM
Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1 and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.
Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM are high-speed CMOS and dynamic-access memory that are internally configured as a 8-bank memory device. These DDR2 SDRAM feature 4-bit pre-fetch DDR architecture, programmable READ and WRITE latencies, auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), and clock stop capability. The DDR2 SDRAM reduces the number of input pins in the system by using a double data rate architecture on the Command/Address (CA) bus. This CA bus is used to transmit address, command, and bank information. These DDR2 SDRAM can achieve high-speed operation by using a double data rate architecture on the DQ (bidirectional/differential data bus) pins.
Immagine Parte # Descrizione
AS4C8M32MD2A-25BCNTR

Mfr.#: AS4C8M32MD2A-25BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C8M32MD2A-25BCNTR

 DRAM 256M 1.2/1.8V 8Mx32 LPDDR2 -25C-95C
AS4C8M32MD2A-25BPCN

Mfr.#: AS4C8M32MD2A-25BPCN

OMO.#: OMO-AS4C8M32MD2A-25BPCN

 DRAM 256M 1.2/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp
AS4C8M32MD2A-25BCN

Mfr.#: AS4C8M32MD2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C8M32MD2A-25BCN

 DRAM 256M 1.2/1.8V 400MHz 8Mx32 LPDDR2 E-Temp
AS4C8M32MD2A-25BPCN

Mfr.#: AS4C8M32MD2A-25BPCN

OMO.#: OMO-AS4C8M32MD2A-25BPCN-1190

 256M 8M X 32 LPDDR2 1.2V 168 POP Extended temp
AS4C8M32MD2A-25BCN

Mfr.#: AS4C8M32MD2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C8M32MD2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

 134-BALL FBGA (10X11.5X1.0)
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