SI4914BDY-T1-E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore

Vishay Siliconix

categoria di prodotto

FET - Array

Serie

PICCOLO PIEDE

Confezione

Nastro e bobina (TR)

Alias ​​parziali

SI4914BDY-E3

Unità di peso

0.017870 oz

Stile di montaggio

SMD/SMT

Pacchetto-Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tecnologia

si

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero di canali

2 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore

8-SO

Configurazione

Doppio con diodo Schottky

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Potenza-Max

2.7W, 3.1W

Tipo a transistor

2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss

30V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds

-

Funzione FET

Standard

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C

8.4A, 8A

Rds-On-Max-Id-Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs-th-Max-Id

2.7V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs

10.5nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione

1.7 W 2 W

Massima temperatura di esercizio

+ 150 C

Temperatura di esercizio minima

- 55 C

Tempo di caduta

10 ns 9 ns

Ora di alzarsi

10 ns 9 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage

20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente

6.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza

23 mOhms

Polarità del transistor

Canale N

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico

16 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico

9 ns 10 ns

Modalità canale

Aumento

Tags

SI4914BDY-T1, SI4914BDY-T, SI4914BD, SI4914B, SI4914, SI491, SI49, SI4