DMP10H400SK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

240 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

17.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP10

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

34.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.1 ns

Tags

DMP10H40, DMP10H, DMP10, DMP1, DMP