R6046ANZC8

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

46 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

150 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

100 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

130 ns

Quantità confezione di fabbrica:

360

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

230 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

60 ns

Parte # Alias:

R6046ANZ

Unità di peso:

0.194007 oz

Tags

R6046A, R6046, R604, R60