IXTH80N20L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

32 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 W

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTH80N20

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

29 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

44 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

72 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

29 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTH80, IXTH8, IXTH, IXT