MAGX-000035-030000

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

12 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

175 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 8 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.2 A

Potenza di uscita:

30 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 95 C

Pd - Dissipazione di potenza:

27 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Massa

Frequenza operativa:

3.5 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 95 C

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaN SiC HEMT

Marca:

MACOM

Transconduttanza diretta - Min:

1 S

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

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