APT10M11JVRU3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Separare

Altezza:

9.6 mm

Lunghezza:

38.2 mm

Larghezza:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

9 ns

Id - Corrente di scarico continua:

142 A

Pd - Dissipazione di potenza:

450 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Ora di alzarsi:

48 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

POWER MOS V, ISOTOP

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

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