2N6491G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

90 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

5 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6491

Altezza:

15.75 mm

Lunghezza:

10.53 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

15 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

2N6491G, 2N6491, 2N649, 2N64, 2N6