IXBN75N170A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

SOT-227B-4

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.7 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

4.95 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

75 A

Pd - Dissipazione di potenza:

625 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXBN75N170

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

350 A

Altezza:

9.6 mm

Lunghezza:

38.23 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

25.42 mm

Marca:

IXYS

Corrente continua del collettore:

75 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

BIMOSFET

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXBN7, IXBN, IXB