DSS4140V-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DSS41

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V, 75 at 2 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

DSS414, DSS41, DSS4, DSS