FDMS0308CS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

113 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

66 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

N-Channel Power Trench SyncFET

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

300 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS0308, FDMS030, FDMS03, FDMS0, FDMS, FDM