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MG12200D-BN2MM

MG12200D-BN2MM
Mfr. #:
MG12200D-BN2MM
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Modules 1200V 200A Dual
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MG12200D-BN2MM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
MG12200D-BN2MM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Littelfuse
Categoria di prodotto:
Moduli IGBT
RoHS:
Y
Prodotto:
Moduli di silicio IGBT
Configurazione:
Dual
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
1.8 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
300 A
Corrente di dispersione gate-emettitore:
400 nA
Pd - Dissipazione di potenza:
1400 W
Pacchetto/custodia:
Pacchetto D
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Massa
Serie:
MG12200D
Marca:
Littelfuse
Stile di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Tipologia di prodotto:
Moduli IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
1
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
10.053079 oz
Tags
MG122, MG12, MG1
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    D***y
    D***y
    US

    excellent

    2019-04-13
    E**x
    E**x
    HU

    OK!

    2019-06-05
    O***M
    O***M
    RU

    It's okay.

    2019-02-18
***ark
Igbt Module, Dual Npn, 1.2Kv, 290A
***i-Key
IGBT 1200V 290A 1050W PKG D
***
1200V 200A D-PACKAGE
Silicon IGBT Power Modules
Littelfuse Silicon IGBT Power Modules ensure high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications. In addition, the positive temperature coefficient of the modules allows for ease in paralleling to boost the current capability of the system. The modules are rated up to 1700V and 600A in industry standard packages and common topologies.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MG12200D-BN2MM
DISTI # F6482-ND		Littelfuse IncIGBT 1200V 290A 1050W PKG D
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		20In Stock
  • 25:$111.1728
  • 10:$115.2010
  • 1:$123.2600
MG12200D-BN2MM
DISTI # 576-MG12200D-BN2MM		Littelfuse IncIGBT Modules 1200V 200A Dual
RoHS: Compliant		8
  • 1:$123.2600
  • 5:$120.8400
  • 10:$115.2100
MG12200D-BN2MMLittelfuse IncIGBT Modules 1200V 200A DualAmericas -
    Immagine Parte # Descrizione
    FF400R12KT3

    Mfr.#: FF400R12KT3

    OMO.#: OMO-FF400R12KT3

    		 IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A
    FF400R12KT3

    Mfr.#: FF400R12KT3

    OMO.#: OMO-FF400R12KT3-125

    		 IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    1991
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di MG12200D-BN2MM è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    123,26 USD
    123,26 USD
    5
    120,84 USD
    604,20 USD
    10
    115,21 USD
    1 152,10 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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