IKP39N65ES5XKSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-2

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.45 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

62 A

Pd - Dissipazione di potenza:

188 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

IKP39

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP 5 S5

Parte # Alias:

IKP39N65ES5 SP002882512

Tags

IKP3, IKP