MMIX1F520N075T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SMPD-24

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

545 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

830 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.7 mm

Lunghezza:

25.25 mm

Serie:

HiPerFETâ?¢ e MOSFET

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

19.3 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

95 S

Tempo di caduta:

35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

36 ns

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

48 ns

Unità di peso:

0.282192 oz

Tags

MMIX1F, MMIX1, MMIX, MMI