FQB27N25TM-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

25.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

108 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

45 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

417 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

UltraFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FQB27N25TM_F085

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

122 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

81 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

36 ns

Parte # Alias:

FQB27N25TM_F085

Unità di peso:

0.046296 oz

Tags

FQB27N25TM, FQB27N25T, FQB27N, FQB27, FQB2, FQB