IXFQ22N60P3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

360 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

38 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFQ22N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

24 S, 14 S

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF