NP90N06VLG-E1-AY

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

90 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

105 W

Confezione:

Bobina

Marca:

Renesas Elettronica

Transconduttanza diretta - Min:

66 S

Tempo di caduta:

7 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

76 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

NP90N06, NP90N, NP90, NP9