STB25NM60N-1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

160 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

8.95 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

STB25NM60N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

17 S

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

94 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24.5 ns

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

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