MJD148T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD148

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.012381 oz

Tags

MJD14, MJD1, MJD