IPT020N10N3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOF-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

156 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

10.58 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

10.1 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

125 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

58 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

84 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

34 ns

Parte # Alias:

IPT020N10N3ATMA1 SP001100160

Unità di peso:

0.002293 oz

Tags

IPT020N10N3, IPT020, IPT02, IPT0, IPT