DMP2109UVT-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

9.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Tags

DMP210, DMP21, DMP2, DMP