DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di alimentazione a diodi

Tipo:

Modulo diodo raddrizzatore

Vf - Tensione diretta:

1.1 V

Vr - Tensione inversa:

800 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

Premi Fit

Pacchetto/custodia:

Modulo

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

12 mm

Lunghezza:

62.8 mm

Tecnologia:

SiC

Larghezza:

33.8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

30 ns

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Se - Corrente diretta:

50 A

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

EasyBRIDGE

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

325 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

100 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Parte # Alias:

DDB2U50N08W1R_B23 SP001622470

Tags

DDB2U5, DDB2U, DDB2, DDB