FGA30N65SMD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PN-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.29 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

60 A

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

FGA30N65SMD

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

30 A

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

FGA30N6, FGA30N, FGA30, FGA3, FGA