FDI038AN06A0

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

310 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Tubo

Altezza:

7.88 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Serie:

FDI038AN06A0

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

144 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Parte # Alias:

FDI038AN06A0_NL

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

FDI038AN0, FDI038A, FDI038, FDI03, FDI0, FDI